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半导体器件的制备方法.pdfVIP

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  • 2023-06-09 发布于四川
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半导体器件的制备方法.pdf

    本发明提供一种半导体器件的制备方法，包括：先形成第一沟槽，然后形成位于第一沟槽的侧壁上至少且从栅间介质层的侧壁延伸到部分第一氮化层的侧壁上的第二氮化层。去除第一沟槽底壁暴露出的浮栅层，以在浮栅层中形成第二沟槽。对第二氮化层进行侧向刻蚀，以减薄第二氮化层，使第二氮化层的底部能暴露出部分浮栅层的顶部拐角。形成隧穿介质层，且至少覆盖第二沟槽中的浮栅层被暴露的表面。最后形成字线，以填充第一沟槽和第二沟槽。因此，本发明无需单独形成氧化层来形成浮栅的拐角，仅需通过减薄第二氮化层的方式即可实现。不仅能通过增加

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112908857 A (43)申请公布日 2021.06.04 (21)申请号 202110258208.3 (22)申请日 2021.03.09 (71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司

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