三维非易失性存储器及其控制方法.pdfVIP

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  • 2023-06-09 发布于四川
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本申请提供了一种控制三维非易失性存储器的方法,三维非易失性存储器包括多个存储串、多个虚设存储串,以及与存储串的沟道层电连接的多条字线,其中,多个虚设存储串中的至少部分虚设存储串彼此电连接,其中,该方法包括:向至少部分字线施加操作电压,以执行读取操作、擦除操作或编程操作;以及在施加所述操作电压期间,向彼此电连接的虚设存储串施加增强电压。该方法能够有效地减少三维非易失性存储器中字线的设置时间。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112908387 B (45)授权公告日 2021.12.17 (21)申请号 202110239612.6 审查员 王浩同 (22)申请日 2021.03.04

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