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本发明公开了一种适用于激光掺杂技术的扩散方法，其特征在于，在降温氧化过程中控制气氛为纯O2气氛，使扩散层表面生长的二氧化硅与表面掺杂的磷源反应生成40～50nm厚的磷硅玻璃，所述降温氧化之后还进行后氧化步骤，且在后氧化过程中控制气氛为纯O2气氛。一方面降低表面活性掺杂浓度降低少子复合，进而提升Voc和Isc，另一方面，降低重掺区方阻，进而改善/金属接触，从而在进一步提升Voc和Isc增益的基础上，降低电池的Rs和FF损失，最大化提升电池的Eff。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112928180 B
(45)授权公告日 2022.08.09
(21)申请号 201911236922.1 (74)专利代理机构 北京品源专利代理有限公司
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