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- 2023-06-09 发布于四川
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本发明公开了一种半导体封装体用晶圆级保护封盖及其制作方法，半导体封装体用晶圆级保护封盖及其制作方法包括：封盖、凸块和挡板，凸块位于挡板的下端两侧，通过凸块将挡板安装在封盖上，封盖上设置有与凸块相匹配的凹槽，使得凸块与凹槽紧密的贴合在一起，从而将挡板通过凸块稳定的安装在封盖的上端，并且每相邻的两个挡板之间留有一定的缝隙，激光可以透过相邻两个挡板之间的缝隙处，而挡板所处的位置激光则无法穿透，通过设置的挡板能够有效的保护封盖下端的晶圆，同时晶圆与封盖之间为胶接，后期可通过激光的高能量将胶的化学键打断，
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112908937 A
(43)申请公布日 2021.06.04
(21)申请号 202110241986.1
(22)申请日 2021.03.04
(71)申请人 上海贸迎新能源科技有限公司
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