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一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：形成衬底和位于衬底上的初始图形层，初始图形层利用刻蚀工艺所形成；利用等离子体沉积工艺，在初始图形层的侧壁形成覆盖层，初始图形层和覆盖层作为图形层。利用等离子体沉积工艺在初始图形层的侧壁形成覆盖层的过程中，该沉积工艺产生的等离子体能够去除初始图形层侧壁的悬挂键，使得初始图形层的侧壁具有较小的面粗糙度，覆盖层形成在初始图形层的侧壁，因此图形层的侧壁面粗糙度较小，且覆盖层通过等离子体沉积工艺形成，因此覆盖层的表面不具有悬挂键，从而覆盖层的侧壁上不易与环境中的水
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112928165 A
(43)申请公布日
2021.06.08
(21)申请号 20191
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