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一种改善耐压可靠性的高压JFET器件结构及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-06-09 发布于四川
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一种改善耐压可靠性的高压JFET器件结构及其制造方法.pdf

    本发明提供一种改善耐压可靠性的高压JFET器件结构及其制造方法，位于有源区内的DNW；位于DNW内边缘一侧的第二N+区；位于DNW表面处以第二N+区为圆心的第一场氧区，位于DNW内的表面处、以第二N+区为圆心且环绕第一场氧区的P阱；位于P阱表面处的第一P+区和第一N+区；位于第一N+区上表面边缘并延伸至第一场氧区上表面的第一多晶硅栅；第一场氧区靠近第二N+区一侧的上表面还设有第二多晶硅栅；第一、第二多晶硅栅为环绕第二N+区的环形结构；第一P+区、第一N+区通过各自上方的通孔连接至第一金属板；第一

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112909083 A (43)申请公布日 2021.06.04 (21)申请号 202110216789.4 (22)申请日 2021.02.26 (71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司

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