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离子束注入方法和半导体器件.pdfVIP

离子束注入方法和半导体器件.pdf

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    离子束注入方法和半导体器件。在示例中，衬底被定向到目标轴，其中目标轴与衬底中的预选晶体沟道方向之间的残余角失准在角容差区间内。使用沿离子束轴传播的离子束将掺杂剂离子注入到衬底中。掺杂剂离子以离子束轴和目标轴之间的注入角度注入。注入角度在注入角度范围内。沟道接受宽度对于预选晶体沟道方向是有效的。注入角度范围大于沟道接受宽度和两倍的角容差区间之和的80%。注入角度范围小于沟道接受宽度和两倍的角容差区间之和的500%。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113013025 A (43)申请公布日 2021.06.22 (21)申请号 202011500142.6 H01L 29/06 (2006.01)

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