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一种新型DRAM结构及实现方法.pdfVIP

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  • 2023-06-11 发布于四川
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一种新型DRAM结构及实现方法.pdf

    本发明提供一种新型DRAM结构及实现方法，包括纵向环栅结构晶体管和沟槽电容器。其中纵向结构晶体管的栅极可以自定义实现单面、双面、三面或四面导电，具有极大的灵活性。同时，DRAM结构连接的电容采用沟槽电容器，其与纵向结构晶体管通过另一深沟槽进行隔离，沟槽既用于形成晶体管，同时也形成电容，该工艺方法完全兼容现有CMOS工艺，结构整体可以根据需要做在不同的P阱或N阱中，对应形成NMOSFET或PMOSFEET。计算结构和存储结构直接相连，可实现存算一体。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113013167 A (43)申请公布日 2021.06.22 (21)申请号 202110252584.1 (22)申请日 2021.03.08 (71)申请人 电子科技大学 地址

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