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本发明公开了一种基于超强激光的单发gamma诱导正电子湮灭寿命谱系统，主要解决正电子湮灭寿命谱系统无法实现单发测谱的问题。该寿命谱系统包括激光gamma源，设置于激光gamma源后方用于对gamma源进行准直具有准直孔的准置屏蔽体，放置于准直屏蔽体后方的待测样品，以及设置于待测样品一侧且避开激光gamma源的寿命谱探测系统；所述寿命谱探测系统包括切伦科夫辐射体，设置于切伦科夫辐射体一侧用于可见光垂直反射的离轴椭圆形反射镜，以及用于接收离轴椭圆形反射镜反射的可见光的光电倍增管。本发明的寿命谱系统基
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113008922 A
(43)申请公布日 2021.06.22
(21)申请号 202110180792.5
(22)申请日 2021.02.09
(71)申请人 中国工程物理研究院激光聚变研究
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