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- 2023-06-11 发布于四川
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本申请实施例公开了一种负电容鳍式场效应管的制备方法及负电容场效应晶体管，该方法包括：提供半导体衬底，其上具有鳍部；形成覆盖鳍部的顶面和侧壁、半导体衬底的第一栅绝缘层；在第一栅绝缘层上形成横跨鳍部的牺牲栅极；以牺牲栅极为掩膜，对鳍部中设于牺牲栅极两侧的部分进行掺杂，形成源区和漏区；在半导体衬底上形成与所述牺牲栅极的表面平齐的绝缘层；去除牺牲栅极，形成凹槽；在凹槽的侧面和底部依次形成第二栅绝缘层和金属栅结构，或，形成填充凹槽的金属栅结构；其中，第一栅绝缘层和/或第二栅绝缘层包括铁电材料层。本发明实施
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112997318 A
(43)申请公布日 2021.06.18
(21)申请号 201880099251.6 (51)Int.Cl.
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