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晶体管设计胡;一、引言;第3页/共26页;二、晶体管设计 ;（二）各个物理、几何参数对器件特性的影响 ; 2．交流参数 （1）特征频率fT：由传输延迟时间τeC决定， τe （Ae、NE）、τb（Wb、NB）、τc（Ac、NC）和τd（NC）； （2）功率增益GP：主要由fT、Cc（AC、Apad）和rb（Wb、NB）决定； （3）开关时间ton和toff：主要与Ae、AC、基区和集电区少子寿命τ和集电区厚度WC有关； （4）噪声系数NF：NF主要由rb和fT决定。; 3．极限参数 （1）击穿电压BVCEO、BVCBO、BVEBO：BVCBO主要由NC、WC和xjC决定，BVEBO主要由发射结侧壁基区表面浓度决定； （2）集电极最大电流Icm：与发射极总周长LE、集电区杂质浓度NC有关； （3）最大耗散功率Pcm：主要与热阻RT（基区面积Ab、芯片厚度t）有关； （4）二次击穿耐量ESB：主要与NC、WC和镇流电阻RE有关。 晶体管的各电学参量之间是相互有关的，而且电学参数随结构参数的变化关系也相当复杂，甚至出现相互矛盾。 ;（三）晶体管设计的基本原则; 2．任何一个好的设计方案都比须通过合适的工艺才能实现。因此，在设计中必须正确处理设计指标和工艺条件之间的矛盾。设计前必须了解工艺水平和设备精度，结合工艺水平进行合理设计。 3．正确处理技术指标和经济指标间的关系。设计中既要考虑先进的技术指标，也要考虑经济效益。否则，过高的追求先进的技术指标，将是成本过高。同时，在满足设计指标的前提下，尽可能降低参数指标，便于降低对工艺的要求，提高产品成品率。 4．在进行产品设计时，一定要考虑器件的稳定性和可靠性。 ;（四）设计步骤和设计内容 ; （2）根据设计指标的要求，了解同类产品的现有水平和工艺条件，结合设计指标和生产经验进行初步设计。 （3）根据初步设计方案，对晶体管的电学参数进行验算，在此基础上，对设计方案进行综合调整和修改。 （4）根据初步设计方案进行小批量试制，通过边设计，边试制，暴露问题，解决矛盾，修改和完善设计方案。; 2．主要设计内容包括： （1）根据主要参数的设计指标确定器件的纵向结构，???集电区厚度Wc，基区宽度Wb和扩散结深xj等 （2）根据设计指标确定器件的图形结构，设计器件的图形尺寸，绘制光刻版图。 （3）选取材料，确定材料参数，如电阻率、位错、寿命、晶向等，并制定实施工艺方案。 （4）进行热学设计，选取封装形式，选用合适的管壳和散热方式。 ;（五）晶体管设计举例; 3．纵向结构设计： （1）集电区杂质浓度： 在甲类工作状态下，BVCEO＝2VCC＝56V，将BVCEO代入下式 取β＝25，n=4，可得BVCBO＝126V，NC＝4×1015cm-3，因而选取PC＝1－1.2Ω.cm。由于在浅结器件中击穿首先发生在结面弯曲的电场集中处，考虑曲率半径的影响后，实际击穿电压BVCBO只能达到70－80V。;（2）集电区厚度： 将BVCBO＝80V代入下式 算得WC≥5.1μm。从提高二次击穿耐量出发，将代入下式 可得WC≥7μm。为了不增加串联电阻又能提高二次击穿耐量，采用双层外延工艺。首先生长一层杂质浓度高于NC，厚度大于3μm的过渡层，再生长NC≤4×1015cm-3，厚度为5－6μm的Si层以满足击穿电压要求。; （3）基区宽度： 为了满足器件工作频率要求，选取fT/f＝1.5，由此得fT＝600MHz。此时，对特征频率影响最大的仍然是基区渡越时间，设基区平均杂质浓度NB＝2×1017cm-3，代入下式 得，Wb≤0.76μm。 由于器件工作电压较低，集电结空间电荷区扩展入基区的宽度很窄，基区宽度的下限由基区陷落效应决定。所以基区宽度的取值范围0.5μm Wb0.76μm，兼顾器件的频率特性和成品率，选取Wb＝0.7μm。; （4）扩散结深 根据 ， ，可选取xje=Wb=0.7μm，xjc=2Wb=1.4μm。 ;4．横向设计：; 下面是常用的一组经验数据