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- 2023-06-11 发布于四川
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本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体存储器及其形成方法。所述半导体存储器的形成方法包括如下步骤：提供一衬底，所述衬底内具有位线接触区，所述衬底表面覆盖有介质层；形成贯穿所述介质层并暴露所述位线接触区的沟槽；填充第一导电材料于所述沟槽内，形成位线，所述位线的顶面位于所述介质层的顶面之下；填充绝缘材料于所述沟槽内，形成位于所述位线顶面的位线盖层。本发明一方面，不会因为位线的线宽较小而发生弯曲现象；另一方面，避免了位线侧蚀以及侧壁氧化等问题，提高了较佳的电子传导路径，从而降低了半导体存储器
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112992775 B
(45)授权公告日 2023.04.07
(21)申请号 201911213052.6 (56)对比文件
(22)申请日 2019.12.02
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