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2023-06-12 发布于四川
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根据实施例的非易失性存储器件包括：衬底，其具有上表面；栅极线结构，其设置在所述衬底之上；栅极电介质层，其覆盖所述栅极线结构的一个侧壁表面并且设置在所述衬底之上；沟道层，其设置为覆盖所述栅极电介质层并且设置在所述衬底、位线结构和阻变结构之上以接触在所述衬底之上的沟道层的不同部分；以及源极线结构，其设置在阻变结构中。所述栅极线结构包括至少一个栅电极层图案和层间绝缘层图案，它们沿着与所述衬底垂直的第一方向交替地层叠，并且沿与所述第一方向垂直的第二方向延伸。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113053944 A (43)申请公布日 2021.06.29 (21)申请号 202010698659.4 (22)申请日 2020.07.20 (30)优先权数据 10-2019-0

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