太阳能电池原理及工艺中常见问题讲义.pptxVIP

太阳能电池原理及工艺中常见问题讲义;二 工艺原理和常见问题;1. Texture—— 制作绒面，增加光吸收;单晶;;● 绒面对电池性能的影响;;● 单晶制绒酸洗工艺流程;● 多晶制绒酸洗工艺流程;● 多晶制绒常见问题;DI电阻率——18MΩ·CM，否则会引入杂质，导致漏电增加； 制绒后严禁裸手接触硅片： a. 手指印，电池片降级； b. 引入钠离子，扩散进入PN结空间电荷区，增加漏电； 单晶制绒问题 花篮印 抛光片 白斑 油污色斑 等等 ;2. Diffusion—— 制作PN结，电池的心脏;;扩散装置;第15页/共45页;化学反应机理;扩散模型;;方块电阻——就是表面为正方形的半导体薄层在电流方向上  所呈现的电阻;高方阻+密栅+新浆料; 扩散常见问题;5. 三氯氧磷 三氯氧磷正式名称为氧氯化磷，又名磷酰氯。为无色透明发烟液体，有辛辣气味。熔点2℃，沸点105.1℃，密度1.675kg/l。有强腐蚀性、毒性，不燃烧。 三氯氧磷遇水或水蒸汽剧烈反应生成磷酸与氯化氢等有毒的腐蚀性烟雾，对皮肤、粘膜有刺激腐蚀作用。三氯氧磷可引起急性中毒，在短期内吸入大量三氯氧磷蒸汽可引起上呼吸道刺激症状、咽喉炎、支气管炎，严重者可发生喉头水肿窒息、肺炎、肺水肿、紫绀、心力衰竭，亦可发生贫血、肝脏损害、蛋白尿。口服三氯氧磷可引起消化道灼伤，眼和皮肤接触引起灼伤，长期低浓度接触可引起口、眼及呼吸道刺激症状。 装源瓶：先开出气阀，再开进气阀！否则将引起源瓶爆炸！！ 卸源瓶：先关进气阀，再关出气阀！否则将引起源瓶爆炸！！;3. PSG——去除含磷的二氧化硅;刻 蚀;常用设备：Rena Schimid 库特勒 聚晶 与库特勒设备对比：方阻变化较小;● 常见问题;4. PECVD——等离子增强型化学气相沉积; Si/N比对SiNx薄膜性质的影响 电阻率随x增加而降低 折射率n随x增加而增加 腐蚀速率随密度增加而降低 ;间接式PECVD——在微波激发等离子的设备里，等离子产生在反应腔 之外，然后由石英管导入反应腔中。在这种设备里 微波只激发NH3，而SiH4直接进入反应腔。;对电池的影??;● 表面钝化——提高Uoc;● 体钝化——提高Uoc;● 管P常见问题;5. PrintingCofiring;常见问题 铝浆污染——严禁二道用具用于三道印刷，保持台面 和轨道清洁 2. 断线、粗点、粘版、印不全——浆料使用前充分搅拌，使用过程中严禁污染 3. 虚印——浆料和栅线设计不匹配，可重新设计网版 4. 定期更换台面纸;烧结曲线;第37页/共45页;铝背场的形成;铝背场的作用 背面接触，收集电流 形成P+铝背场，表面钝化提高开路电压 增加对光的反射 吸杂;欧姆接触的形成——没有整流效应的金属半导体接触;Ag晶粒在腐蚀坑处结晶时与Si表面接触的一侧呈倒金字塔状，而与玻璃料接触的一侧则成圆形。;常见问题;Thanks; 1、水分子的屏蔽效应（screening effect）阻挡了硅原子与OH根离子的作用，而水分子的屏蔽效应又以原子排列密度越高越明显。 2、在{111}晶面族上，每个硅原子具有三个共价健与晶面内部的原子健结及一个裸露于晶格外面的悬挂健，{100}晶面族每一个硅原子具有两个共价健及两个悬挂健，当刻蚀反应进行时，刻蚀液中的OH－会跟悬挂健健结而形成刻蚀，所以晶格上的单位面积悬挂健越多，会造成表面的化学反应自然增快。;感谢观看!