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一种半导体装置的制造方法，包括提供具有基板与鳍片的结构。鳍片具有不同第一半导体材料与第二半导体材料的第一层与第二层。第一层与第二层交替堆叠于基板之上。上述结构还具有齿合鳍片通道区的栅极堆叠以及位于牺牲栅极堆叠侧壁上的栅极间隔物。半导体装置的制造方法还包括：蚀刻鳍片的源极/漏极(S/D)区以产生源极/漏极沟槽；部分地凹蚀于源极/漏极沟槽中露出的第二层，以于第一层的两邻近膜层之间产生间隙；以及于栅极间隔物、第一层与第二层的表面上沉积介电层。介电层部分地填充间隙而保留孔隙，孔隙夹设于第一层的两邻近膜层
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113113359 A
(43)申请公布日 2021.07.13
(21)申请号 202110179221.X H01L 27/092 (2006.01)
(22)申请日
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