集成电路制造技术——原理与工艺（第3版）课件4.3杂质的扩散掺杂.pptx

集成电路制造技术集成电路制造技术JI CHENG DIAN LU ZHI ZAO JI SHU ——原理与工艺主讲/田丽王蔚 杂质的扩散掺杂第四章 扩散 杂质的扩散掺杂JI CHENG DIAN LU ZHI ZAO JI SHU 杂质的扩散掺杂扩散工艺是要在硅片的特定位置，掺入所需浓度、分布并有电活性的杂质。由扩散方程可以计算出杂质浓度及分布等关键工艺参数，包括：杂质的分布函数 C(x);表面浓度Cs 结深xj掺入单位面积杂质总量Q 杂质的扩散掺杂 1恒定表面源扩散简称恒定源扩散，在整个扩散过程中硅片一直处于杂质氛围中，表面杂质浓度始终保持不变，表面杂质浓度达到了该扩散温度的固溶度Ns。初始条件为：边界条件为：C (0，t)=Cs=NsC (∞，t)=0erfc–余误差函数恒定源扩散杂质浓度服从余误差分布可解得硅中杂质分布： 杂质的扩散掺杂 1恒定表面源扩散恒定源扩散的杂质浓度分布?N-SiSiO2P-Six0xj结深： 杂质的扩散掺杂 1恒定表面源扩散恒定源扩散的杂质浓度分布杂质总量：??杂质浓度梯度： 杂质的扩散掺杂 2限定表面源扩散 简称限定源扩散，指在扩散前杂质源积累于硅片表面薄层δ内，单位面积杂质总量Q为常量，在硅片外无杂质的环境氛围下进行的扩散。初始条件：边界条件：C(x,0)=Q/δ , 0xδ C(x,0)=0, xδC(∞,t)=0?限定源扩散杂质浓度服从高斯分布 三、杂质的扩散掺杂 2限定表面源扩散 限定源扩散的杂质浓度分布表面杂质浓度:结深:杂质浓度梯度: 三、杂质的扩散掺杂 2限定表面源扩散 限定源扩散的杂质浓度分布 三、杂质的扩散掺杂 3两步扩散工艺N-SiSiO2P-SixCsxjQ 两步扩散工艺就是将恒定源扩散和限定源扩散结合起来，通过调整扩散温度和时间，实现控制掺入硅中杂质的表面浓度、杂质总量、结深等关键参数。第一步：称预淀积（或预扩散），是恒定源扩散，目的是在扩散窗口的硅表层扩入总量Q一定的杂质。第二步：称再分布（或主扩散），是限定源扩散，将预淀积在硅表层的杂质再进一步向片内扩散，目的是控制扩散窗口硅的表面浓度Cs和结深xj。 杂质的扩散掺杂 3两步扩散工艺两步工艺杂质浓度分布两步扩散之后的杂质最终分布形式，将由具体工艺条件决定，是两个扩散过程结果的累加：当D1t1D2t2时预扩散起决定作用，杂质接近余误差函数形式分布。当D1t1 D2t2时，主扩散起决定作用，杂质接近高斯函数形式分布。实际的扩散情况比较复杂：恒定源扩散硅表面杂质浓度难以保持固溶度限定源扩散硅表面的杂质总量会有所减少对结深影响最大的是扩散温度和时间，温度的影响更大。