集成电路制造技术——原理与工艺（第3版）课件 4.5 热扩散工艺方法与条件.pptx

集成电路制造技术集成电路制造技术JI CHENG DIAN LU ZHI ZAO JI SHU ——原理与工艺主讲/某某某 扩散工艺条件与方法扩散扩散工艺条件与方法JI CHENG DIAN LU ZHI ZAO JI SHU 扩散工艺条件与方法 1.1扩散方法的选择开管扩散：扩散的重复性和稳定性都好，而且扩散方便，价廉，但是污染大，对于毒性大的杂质源不能采用。闭管扩散： 扩散的均匀性、重复性较好，扩散时受外界影响少，但是效率低，每次破碎石英管。在大面积深结扩散时常采用这种方法。工艺简单、成熟，既有闭管扩散的特点，又有开管扩散的优点，但是扩散时间长、效率较低，双极型集成电路的埋层扩散，通常采用箱式锑扩散。箱法扩散：箱法扩散设备 扩散工艺条件与方法 1.2杂质源选择固态源用法便利，对设备要求不高，是应用较多的扩散源，主要有BN、B2O3、Sb2O5、P2O5等陶瓷片或粉体源。液态源操作方便，生产效率高，重复性和均匀性都较好，在大量生产中应用较多，主要有POCl3、BBr3等。气态源主要有PH3、AsH3、BCl3等，这些气体的毒性大，且易燃易爆，实际生产中很少采用。液态源扩散 扩散工艺条件与方法 1.2杂质源选择还应考虑下面几点：对所选择的杂质，SiO2掩膜应能起着有效的掩蔽作用；在硅中的固溶度要大于所需要的表面浓度；相继扩散杂质的扩散系数应搭配适当，先扩的应小，后扩的大；纯度高，杂质电离能小，使用方便、安全等。 扩散工艺条件与方法 1.3常用杂质的扩散工艺1. 硼扩散（以NPN晶体管基区扩散为例） 硼是使用最多的P型杂质，在硅中的最大固溶度为4×1020原子/cm3，与硅原子半径相差较大，有伴生应力缺陷，能造成晶格损伤。硼扩原理2B2O3 + 3Si → 4B +3SiO2 选源通常使用BN陶瓷片源，必须活化活化反应：4BN + 3O2 → 2B2O3 + 2N2工艺两步工艺，第一步预淀积为恒定源扩散；第二步再分布为限定源扩散，同时生长氧化层。与Si表面化学反应： 扩散工艺条件与方法 1.3常用杂质的扩散工艺B扩工艺流程清洗→预淀积→漂硼硅玻璃→再分布→测方块电阻预淀积工艺条件：T≈985℃，t≈20min，N2保护0.5 L/min。漂硼硅玻璃，是用10%的HF漂掉扩散窗口表面的BSG。再分布工艺条件：T≈1170℃，干氧10min-湿氧（水温95℃）40min-干氧10min。测方块电阻，通过测方块电阻来了解掺杂情况。n-SiSiO2p-siBSGP-Si 扩散工艺条件与方法 1.3常用杂质的扩散工艺2. 磷扩散（以NPN晶体管发射区扩散为例）磷是使用最多的n型杂质，在硅中的最大固溶度可达1021原子/cm3，与硅原子半径相当，伴生应力缺陷小。磷扩原理2P2O5 + 5Si → 4P + 5SiO2选源通常使用含P2O5陶瓷片源工艺与硼扩相近的两步工艺，只是中间不漂磷硅玻璃。n-SiSiO2P-Sin-Sin-Si预淀积工艺条件：T ≈ 1170 ℃，t ≈ 12mim，N2保护0.5 L/min。再分布工艺条件：T ≈ 970 ℃，干氧5min-湿氧（水温95℃）25min-干氧7min。 扩散工艺条件与方法 1.3常用杂质的扩散工艺NPN晶体管杂质分布Nx5×102010183×1016N+PNN型erfc分布P型高斯分布N型衬底0 Xebj XbcjNx发射区基区集电区 B扩：D1t1 D2t2 杂质近似为高斯分布 P扩：D1t1D2t2 杂质近似为服从余误差分布 扩散工艺条件与方法 1.3常用杂质的扩散工艺3. 砷与锑扩散 DAs、DSb 是DP、DB 的十分之一，因此适于作为前扩散杂质，如埋层扩散或浅结扩散的杂质。 As的扩散方式一般是采用闭管式，源为3%砷粉末，固溶度最高Cs=2×1021原子/cm3。 Sb的一般是采用箱式，源为Sb2O5固态粉末源，固溶度最高Cs=2-5×1019原子/cm3。