集成电路制造技术——原理与工艺（第3版）课件3.2硅的热氧化的工艺部分.pptx

集成电路制造技术集成电路制造技术JI CHENG DIAN LU ZHI ZAO JI SHU ——原理与工艺主讲/田丽王蔚 热氧化第3章 热氧化JI CHENG DIAN LU ZHI ZAO JI SHU 3.1 二氧化硅薄膜概述3.2 硅的热氧化3.3 初始氧化阶段及薄氧化层制备3.4 热氧化过程中杂质再分布3.5 氧化层的质量及检测3.6 热氧化技术及其工艺展望目 录CONTENTS 硅的热氧化1 热氧化工艺氧化示意图卧式氧化炉立式氧化炉 1热氧化工艺 三种热氧化工艺方法干氧氧化：Si+O2 → SiO2氧化层结构致密，掩蔽能力强，表面干燥是Si-O结构，适合光刻；但是，生长速率慢，不适合生长厚氧化层。湿氧氧化：Si+H2O(O2) → SiO2+H2O水汽氧化：Si+(H2+O2 ) → SiO2+H2与干氧氧化相比，氧化层致密度较低，结构疏松，薄膜表面是硅烷醇结构，易吸附水，后续的光刻困难。氧化层的生长速率和质量介于干氧和水汽两种方式之间。 硅的热氧化 三种热氧化方法的比较 氧化方式氧化温度（℃）生长速率常数（?m2/min）生长0.5μmSiO2所需时间（min）SiO2的密度（g/mm）介电强度(106V/cm)注干氧10001.48×10-4180022×10-43602.15湿氧100038.5×10-4632.21水浴温度95℃1200117.5×10-4222.12水汽100043.5×10-4582.086.8~9水汽发生器水温102℃1200133×10-4182.05 硅的热氧化 1热氧化工艺 工艺的应用掩膜氧化（厚氧化层）干氧-湿氧-干氧薄层氧化（MOS栅氧化层）干氧 掺氯氧化SiSiO2 硅的热氧化 工艺举例制备约0.6μm氧化层作为扩散掺杂掩膜工艺条件：3吋硅片，干氧10min-湿氧50min（水温98℃）-干氧15min，温度：1180℃，氧气流量：1L/min。工艺流程：洗片→升温→生长→取片洗片：湿法清洗干净、烘干备用。升温：设定氧化炉的工艺条件，硅片装炉，开机升温。生长：设定氧化炉自动进行干氧湿氧切换，完成氧化层生长。取片：将氧化好的硅片取出，停气、停炉。 硅的热氧化 2热氧化机理硅常温下暴露在空气中的表面：Si +O2 → SiO2Si + H2O(O2) → SiO2 + H2O表面的氧化膜逐渐增厚到40?左右就停止了高温下，氧或水分子扩散到达氧化层/硅界面，与硅发生反应生成二氧化硅，氧化膜继续增厚 硅的热氧化 2热氧化机理SiSiSiO2氧化 dSidSiO2生长1μm厚二氧化硅约消耗0.44μm厚的硅Si桥联O非桥联O 硅的热氧化