集成电路制造技术——原理与工艺（第3版）课件 1.5切制硅片.pptx

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2023-06-17 发布于山东
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集成电路制造技术——原理与工艺（第3版）课件 1.5切制硅片.pptx

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集成电路制造技术集成电路制造技术JI CHENG DIAN LU ZHI ZAO JI SHU ——原理与工艺主讲/田丽王蔚单晶硅衬底单晶硅衬底JI CHENG DIAN LU ZHI ZAO JI SHU 第1章 1.1 硅晶体结构特点1.2 单晶硅衬底制备1.3 硅晶体缺陷1.4 硅晶体中杂质目录CONTENTS1.5 切制硅片 5、切制硅片工艺流程腐蚀液：HF:HNO3=3:1 硅片主要晶向、晶型的定位平边主平边次平边 5、切制硅片 1234567890V型槽标记硅片主要晶向、晶型的定位平边 5、切制硅片主平边V型槽硅片规格及用途按直径划分：主要规格3~18英寸（75~450mm），IC集成度越高使用的硅片尺寸就越大按抛光面划分：单抛多用于IC、双抛用于两面都有器件的芯片按单晶生长方法划分：CZ硅（片），二极管、外延衬底、太阳能电池、IC；MCZ硅（片），用途和CZ硅相似，性能好于CZ硅；FZ硅（片），高压大功率器件，可控整流器件。 5、切制硅片硅片规格及用途按掺杂等情况划分：如电阻率或杂质浓度、晶向、杂质类型等高阻硅（片）：多用于大功率整流器件中阻硅（片）：主要用于晶体管等分立器件低阻硅（片）：主要是作为外延衬底按按用途划分：有二极管级硅片，集成电路级硅片，太阳电池级硅片等 5、切制硅片