集成电路制造技术——原理与工艺（第3版）课件 1 硅-2拉单晶.pptx

集成电路制造技术集成电路制造技术JI CHENG DIAN LU ZHI ZAO JI SHU ——原理与工艺主讲/田丽王蔚 硅片制造第1章 硅片制造JI CHENG DIAN LU ZHI ZAO JI SHU 1.1 硅晶体结构特点1.2 单晶硅衬底制备1.3 硅晶体缺陷1.4 硅晶体中杂质目 录CONTENTS1.5 切制硅片 2、单晶硅衬底制备石英砂冶炼SiO2+2C → Si（粗）+ 2CO↑粗硅主要含有：Fe、Al、C、B、P、Cu等杂质 半导体纯度的多晶硅酸洗：化学提纯精馏：物理提纯 Si + 3HCl→ SiHCl3 + H2 还原：SiHCl3 + H2→ Si + 3HCl 2、单晶硅衬底制备提纯 多晶硅 → 熔体硅 → 单晶硅 直拉法（ CZ法）磁控直拉法（MCZ法）有干锅悬浮区熔法（ FZ法）无干锅2、单晶硅衬底制备 TDR-A型单晶炉照片2.1直拉法2、单晶硅衬底制备 放肩 Shoulder等径 Body引晶 Neck2.1直拉法工艺流程：准备→开炉→生长→停炉生长：引晶→缩颈→放肩→等径生长→收尾控制生长速率、直径的主要因素：提拉器的升速与转速坩埚内熔体温度2、单晶硅衬底制备 2.1直拉法籽晶的作用：样本晶核缩颈的作用：终止籽晶中的位错、表面划痕向晶锭延伸避免籽晶与熔体结合处的缺陷向晶锭延伸2、单晶硅衬底制备 干锅污染：SiO2→Si+O2O2、单晶硅衬底制备痕量氧进入熔体有部分进入硅晶体2.1直拉法 MCZ-3000型单晶炉2.2磁控直拉法（MCZ）MCZ法工艺与CZ法的基本相同2、单晶硅衬底制备 2.2磁控直拉法洛仑兹力 : f=qν× HOOOO附面层2、单晶硅衬底制备 HMCZ2）横向磁场3）尖角形磁场VMCZ1）纵向磁场2.2磁控直拉法vv2、单晶硅衬底制备 JN-FZ-3A型高真空悬浮区熔单晶炉2.3悬浮区熔法（FZ）2、单晶硅衬底制备 2.3悬浮区熔法硅熔区的表面张力与重力保持平衡籽晶与多晶硅的熔接是区熔法拉单晶的关键没有坩埚的污染，能生长无氧、高纯度的单晶硅锭难以拉制大直径的硅锭。2、单晶硅衬底制备