集成电路制造技术——原理与工艺（第3版）课件 2.3分子束外延.pptx

集成电路制造技术集成电路制造技术JI CHENG DIAN LU ZHI ZAO JI SHU ——原理与工艺主讲/田丽王蔚 外 延第2章 外 延JI CHENG DIAN LU ZHI ZAO JI SHU 2.1 概述目 录CONTENTS2.2 气相外延2.3 分子束外延2.4 其它外延2.5 外延层缺陷及检测 分子束外延分子束外延（molecular beam epitaxy, MBE）是一种物理汽相外延工艺在超高真空度下，热分子束由喷射炉喷出，射到洁净的单晶衬底表面，生长出外延层。用于外延层薄、杂质分布复杂的多层外延。 硅MBE工艺流程：准备抽真空原位清洗外延生长停机准备：RCA清洗、腐蚀、装片原位清洗：惰性气体离子束轰击硅片表面，露出新鲜硅，升温至800~900℃退火数分钟，再降至650℃抽真空：外延室基压在约10-8Pa 分子束外延原理与方法 原理与方法外延生长：开喷射炉，控制工作压力10-4Pa，到达衬底原子被物理吸附→迁移至结点→化学吸附→被覆盖，生长速率约0.1μm/min掺杂：选黏附系数大、停留时间长的杂质，如Sb、Ga、Al黏附系数：化学吸附原子数与入射原子数的比值停机 分子束外延 外延设备生长室喷射炉监控系统衬底装填系统外延设备组成：真空系统控制系统 分子束外延 MBE特点超高真空度 外延过程污染少，外延层洁净；温度低 无杂质的再分布现象；外延过程可控性强 能生长极薄外延层，厚度可薄至?量级；多个喷射炉可以同时或顺序工作 适合生长多层、杂质分布复杂的外延层；全程监控 外延层质量高，适合用于新材料外延机理研究。设备复杂、生产费用高，是单片工艺生产效率低。 分子束外延