集成电路制造技术——原理与工艺（第3版）课件 1.4硅晶体中杂质.pptx

集成电路制造技术集成电路制造技术JI CHENG DIAN LU ZHI ZAO JI SHU ——原理与工艺主讲/田丽王蔚 单晶硅衬底 单晶硅衬底JI CHENG DIAN LU ZHI ZAO JI SHU 第1章 1.1 硅晶体结构特点1.2 单晶硅衬底制备1.3 硅晶体缺陷1.4 硅晶体中杂质目 录CONTENTS1.5 切制硅片 4、硅单晶中杂质掺杂浓度分类轻掺杂，可记为n--Si、p--Si中等掺杂，可记为n-Si、硅锭掺杂方法液相掺杂气相掺杂掺杂，可记为n+-Si p+-Si中子辐照掺杂，又称中子嬗变掺杂（ NTD) 液相掺杂将杂质放入干锅的多晶中，由熔体掺入硅锭：直接掺杂母合金掺杂例题，生长电阻率为1Ω·cm的n-Si，多晶硅重量为50kg，杂质为磷，需掺多少磷？若先制备1:10的磷硅合金？需掺多少合金？若称量误差为±1mg？分别计算误差百分比？磷的原子量是30.97；原子量单位为1.661×10-21mg：Wp=1.661×10-21×30.97×1.287×1020≈6.62mgWSiP=6.62×10≈66.2mg误差：1/WP= ± 15%误差：1/WSiP=±1.5%CP=6×1015 atoms/cm34、硅单晶中杂质 液相掺杂分凝现象杂质在不同相中的溶解度不同的现象分凝系数k：k=Cg/Cl蒸发现象熔体中的杂质从表面进入到气相中的现象蒸发常数E：N=EACl硅中常见杂质的分凝系数和蒸发常数参数BPAsSb分凝系数0.800.350.270.02蒸发常数5×10-610-45×10-37×10-24、硅单晶中杂质 液相掺杂影响硅锭掺杂浓度的主要因素干锅污染：SiO2→Si+O2杂质分凝：晶锭杂质浓度轴向呈由低到高分布其它因素：杂质的蒸发、真空度、工艺卫生等4、硅单晶中杂质炉丝nρ 杂质合金体，在悬浮熔区处熔化，迅速扩散至整个熔区，硅结晶时进入单晶锭实现掺杂采取在多晶锭中预埋含杂质元素的硅合金芯体没有坩埚的污染，能生长无氧、高纯度的单晶硅锭液相掺杂4、硅单晶中杂质无干锅的悬浮区熔法掺杂悬浮区熔法 悬浮区熔法气相掺杂PH3PH3PH3PPP 在单晶炉内通入的惰性气体中，加入一定量的含掺杂元素的气体，如，PH3、B2H6，在杂质气氛下，P、B等溶入熔体，然后掺入单晶体内。杂质的蒸发常数应小难以制备轻掺杂硅锭。4、硅单晶中杂质 中子辐照掺杂硅有三种同位素：28Si ：92.28% , 29Si ：4.67% , 30Si ：3.05%.硅锭放在核反应堆中进行中子辐照30Si有中子嬗变现象： 30Si → 31Si+γ 31Si → 31P+e 中子Nmax=5 × 1022×3.05%= 1.53*1021atoms/cm3中子辐照会产生缺陷需要高温热处理去除。4、硅单晶中杂质 硅晶体中各种杂质的固溶度曲线固溶体：在一种晶体内掺入杂质，达到一定浓度之前，这种晶体仍保持原结构，杂质不会结团或沉积，这样的晶体称为固溶体。固溶度：一定温度，杂质B在晶体A中具有的最大平衡浓度。4、硅单晶中杂质固溶度与相图 固溶度与相图相图：用来讨论混合物体系性质的一种图示方法共晶点577℃共晶点时铝中硅原子的原子浓度为1.59%4、硅单晶中杂质铝-硅体系相图 锗-硅相图4、硅单晶中杂质固溶度与相图0102030405060708090100010203040506070809010014001300120011001000900GeSi1414℃温度/℃L(Ge,Si)938.3℃锗-硅二元合金相图x(Si)%u(Si)%