集成电路制造技术——原理与工艺（第3版）课件 1.3硅晶体缺陷.pptx

主讲集成电路制造技术集成电路制造技术/田丽王蔚JI CHENG DIAN LU ZHI ZAO JI SHU ——原理与工艺第1章 单晶硅衬底 单晶硅衬底JI CHENG DIAN LU ZHI ZAO JI SHU 1.3 硅晶体缺陷1.1 硅晶体结构特点目 录CONTENTS1.2 单晶硅衬底制备1.4 硅晶体中杂质1.5 切制硅片3、硅晶体缺陷硅晶体中的缺陷种类杂质本质上也是晶体中的缺陷晶体缺陷，指实际晶体中偏离理想完整点阵等部位或结构零维点缺陷一维线缺陷二维面缺陷和三维-体缺陷3、硅晶体缺陷硅晶体点缺陷有三种：3.1点缺陷替位杂质填（间）隙杂质空位杂质:自填（间）隙原子3、硅晶体缺陷3.1点缺陷热缺陷空位和自填隙原子对称为弗伦克尔（Frenkel）缺陷空位称为肖特基（schottky）缺陷空位的平衡浓度比自填隙平衡浓度高得多3、硅晶体缺陷3.1点缺陷空位种类 A，A-、A2-…A4-，A+…A4+带电子或失电子空位的平衡浓度也可以计算得出：3、硅晶体缺陷替位杂质3.1点缺陷主要是Ⅲ、Ⅴ族原子：硼、磷、砷，锑等。有电活性。自由电子空穴掺磷掺硼3、硅晶体缺陷填隙杂质3.1填隙—替位杂质点缺陷位于替位位置的具有电活性。如O、Au、Fe、Cu等如C、Na、H、K、Li等。位于间隙位置的无电活性，无电活性。bbb3、硅晶体缺陷位错3.2线缺陷刃位错：位错线与滑移矢量垂直螺位错：位错线与滑移矢量平行FFEE┴混合位错刃（型）位错螺位错螺（型）位错3、硅晶体缺陷3.2线缺陷位错的移动刃位错的攀移∥∥⊥⊥⊥⊥刃位错的滑移螺位错的滑移滑移消失3、硅晶体缺陷3.2线缺陷滑移面滑移面滑移面滑移面硅晶体的（111）面是滑移面3、硅晶体缺陷[111]3.3面缺陷和体缺陷堆垛层错(stacking fault)，简称层错ACBACBA层错面AABCCAAABBCAA3、硅晶体缺陷结团现象：3.3体缺陷：面缺陷和体缺陷指晶体中的低维缺陷浓度高时将倾向于集聚，形成更高维缺陷，从而释放能量的现象。杂质结团形成空隙同学，你好，今天我们继续学习第1章 单晶硅衬底#介绍第3节 单晶硅缺陷#在微电子产品中作为衬底材料的硅是高度完整的单晶。我们知道高度完整的晶体，实际上，也存在缺陷。#晶体缺陷是指实际晶体中偏离理想完整点阵的部位或结构。#硅晶体中的缺陷有哪几种呢？：#零维点缺陷、#一维线缺陷、#二维面缺陷和三维体缺陷。另外，#晶体中的杂质，本质上也是晶体缺陷。这些缺陷对集成电路制造工艺有多方面的影响：如通过在硅晶体中掺入Ⅲ、Ⅴ族杂质能改变其电学特性。#这是硅晶体示意图，先来看一维点缺陷，#有三种：#空位，是在晶格硅原子位置上出现了空缺；#自填隙原子或称自间隙原子，是硅原子不在晶格位置上，而是处于晶格位置之间；#杂质，是指硅以外的其它原子进入到硅晶体中，#有替位杂质，它占据了晶格位置；#填隙杂质，它处于晶格位置之间。#在硅晶体中，空位和自填隙原子的浓度与温度密切相关，因此也被称为热缺陷。晶体中的原子以格点位置为中心一刻不停地热振动着，由于原子这种热振动的能量是有涨落的，#高于激活能的原子会脱离格点位置，如果它进入间隙位置，就产生了#空位和自填隙原子对，被称为弗伦克尔缺陷。#如果这个原子移动到晶体表面的正常格点位置，只在原来格点位置留下空位，就被称为肖特基缺陷。只要不是绝对零度，就会出现热缺陷，所以它是一种本征缺陷。由热力学统计物理方法可以求出热缺陷的浓度：#这里我们不推导，直接给出公式。#这是热缺陷浓度、#原子密度、#形成激活能，#波尔兹曼常数与绝对温度的乘积称温度常数#空位的激活能是2.6eV、#自填隙激活能是4.5eV，#所以空位比自填隙多得多。室温下，空位浓度很低；若升高温度空位浓度将指数增加。在后面介绍的掺杂工艺中，许多杂质的扩散要依赖于空位浓度。#晶体中硅是#和周围4个最近邻原子形成共价键，#一个硅的缺失，就会使周围四个硅各出现一个未饱和价电子，称为悬挂键。除了有前面介绍的这种不带电的0价空位之外，#还可能因最近邻硅电离，出现失一个电子的+1价空位，或因最近邻硅俘获一个自由电子，#出现带一个电子的-1价空位，理论上，#空位最多可以带四个电子或失四个电子，带电子或失电子空位的平衡浓度也可以#计算得出：#这是-1价空位浓度、#0价空位浓度；#这是自由电子浓度、#本征载流子浓度，#这是本征空位的相关能级、#-1价空位的相关能级。其它带电子或失电子空位的平衡浓度计算式类似。实际上，很难出现#带有两个以上负电荷和#一个以上正电荷的空位。#杂质原子也是点缺陷。替位杂质，通常是有意掺入的，目的是为了调节硅晶体的电学特性，#主要是Ⅲ、Ⅴ族原子。#先来看掺Ⅲ族硼的硅晶体，硼是浅能级杂质，在硅中几乎全部电离，#形成以空穴为多数载流子的p型半导体。#再来看掺Ⅴ族磷的