集成电路制造技术——原理与工艺（第3版）课件 2.4其它外延.pptx

集成电路制造技术集成电路制造技术JI CHENG DIAN LU ZHI ZAO JI SHU ——原理与工艺主讲/田丽王蔚 外 延第2章 外 延JI CHENG DIAN LU ZHI ZAO JI SHU 2.1 概述目 录CONTENTS2.2 气相外延2.3 分子束外延2.4 其它外延2.5 外延层缺陷及检测 其它外延方法液相外延(LPE)LPE是利用溶液的饱和溶解度随温度而变化，降温使溶液过饱和，溶质结晶析出在衬底上的外延方法。硅的LPE：将硅溶入锡中，在949℃时溶液饱和，降温度0-30℃时，溶液过饱和，硅析出在衬底硅上生长出外延层。 硅外延常用低熔点金属作为溶剂，如锡、铋、铅及其合金等。 液相外延水平滑动法和垂直浸入法方法：与VPE和MBE比较：外延速率快，工艺温度低，安全性高，12杂质再分布现象弱。外延表面形貌一般。34在制备厚的硅外延层时被采用应用： 其它外延方法 固相外延（SPE）是将晶体衬底上的非晶或多晶薄膜（或者区域），在高温下退火，使其转化为单晶层 的外延。离子注入掺杂工艺中，损伤造成的非晶区和非晶层，必须要经过退火晶化，其实就是固相外延。SPE工艺的关键是温度和保温时间。 其它外延方法 先进外延技术及发展趋势在原有工艺基础上的改进、完善、提高：VPE工艺温度的不断降低；MBE原位监控装置的更加完备；SPE出现的快速退火工艺等。多种技术组合形成了先进的外延工艺：超高真空化学汽相淀积；金属有机化合物化学气相外延；化学束外延。 其它外延方法 超高真空化学汽相淀积（UHV/CVD） 化学汽相淀积(chemical vapor Deposition,CVD)是以气相方式输运含源物质，使其发生化学反应，固相生成物淀积在衬底上形成薄膜的工艺技术。 超高真空CVD：生长室真空度约10-7Pa，以SiH4为源，在600~750℃之间，可以在硅单晶衬底上生长出硅单晶外延层。特点：工艺温度低，能生长杂质陡变分布的薄外延层；真空度高，减少了残余气体带来的污染；设备操作维护比较简单，易于实现批量生产。 其它外延方法 金属有机化合物化学气相外延 金属有机化合物化学气相外延（Metal organic?chemical?vapor?deposition，MOCVD）是在VPE基础上发展起来的； 以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体外延层。 其它外延方法 金属有机化合物化学气相外延例：GaAs/Si的MOCVD两歩工艺 Ga(CH3)3+AsH3→GaAs+3CH4↑As气氛中，约900℃预处理一步生长：410-450℃是生长厚约250?的非晶GaAs过渡层T/℃t/min一步二步预处理GaAs/Si外延工艺二步生长：700℃在此期间一步生长的非晶过渡层也转化为单晶 其它外延方法 化学束外延 化学束外延（CBE），是综合MBE的超高真空下束流外延可以原位监测，以及MOCVD气态源的优点发展起来的先进外延技术。 与CBE相关的还有气态源分子束外延 (GSMBE)和金属有机化合物分子束外延(MOMBE)。 其它外延方法