集成电路制造技术——原理与工艺（第3版）课件 2.1外延概述.pptx

主讲集成电路制造技术集成电路制造技术/田丽王蔚JI CHENG DIAN LU ZHI ZAO JI SHU ——原理与工艺第2章 外 延外 延JI CHENG DIAN LU ZHI ZAO JI SHU 2.5外延层缺陷及检测2.4其它外延2.2气相外延2.3分子束外延2.1概述目 录CONTENTS外延概述外延层什么是外延衬底“外延”一词来自于希腊文Epitaxy，是指“在……上排列”外延工艺，指在晶体上用化学或物理方法规则地再排列所需晶体材料。外延层与衬底晶向相同，但掺杂类型、电阻率、材料可以不同。如n-/n+-Si，n/p-Si，GaAs/Si失配率：外延概述外延工艺种类按工艺方法划分：异质外延外延层与衬底的相容性：气相外延（VPE)1液相外延(LPE)两者在外延温度不发生化学反应、不互溶；固相外延 (SPE)两者热力学匹配；23分子束外延（MBE)两者晶格匹配。按材料划分：同质外延，又称为均匀外延异质外延，又称为非均匀外延外延概述按温度划分： 高温外延(1000℃ 以上)；低温外延(1000℃ 以下)；变温外延，先低温下成核，再高温下生长外延层按电阻率划分： 正外延，低阻衬底上外延高阻层；反外延，高阻衬底上外延低阻层按外延层划分: 普通外延，选择外延，多层外延P-SiSiO2N-Si其它划分方法： 按结构划分；按外延层厚度划分等n+埋层SiO2n-Si外延层p+隔离墙P-Si衬底外延概述双极型电路的pn结隔离外延双极型晶体管外延的用途高的集电结击穿电压低的集电极串联电阻 利用外延技术的pn结隔离是早期双极型集成电路常采用的电隔离方法。 隔离岛n阱P阱外延概述外延工艺用途CMOS电路微波器件SOS／CMOS电路避免了闩锁效应；避免了硅层中SiOx的沉积；硅表面更光滑，损伤最小。 #同学，你好！今天开始我们学习第2章 硅片制造#这一章有五部分内容，#首先对外延进行概述，#然后介绍气相外延，#分子束外延，#以及其它外延，#最后介绍外延层缺陷及检测。#下面让我们进入新的一章吧#首先对外延进行概述。#什么是外延呢？#“外延”一词来自于希腊文Epitaxy，是指“在……上排列”，在集成电路制造工艺中，#外延工艺是指在晶体上，用化学的或物理的方法规则地再排列所需晶体材料。#初始晶体称衬底，#生长出的晶体称外延层。#外延层与衬底晶向相同，但掺杂类型、电阻率、材料可以不同。#如在重掺杂n型硅上外延轻掺杂n型硅，#在p型硅上外延n型硅。#在硅上外延砷化镓。早在1960年代就出现了硅外延工艺，此后分立器件和集成电路普遍制作在外延层上，一方面它提高了器件与电路的性能，另一方面它增加了芯片制造工艺的灵活性。#再来看外延工艺种类。外延工艺种类繁多，因此有不同的分类方法。#按工艺方法划分有，#气相外延（VPE)，#液相外延(LVP)，#固相外延 (SPE)，#分子束外延（MBE)等，#其中，气相外延工艺最为成熟，在硅外延中一直占据着主导地位。在此重点介绍。#分子束外延技术先进，工艺可控性好，在生长的外延层薄或结构复杂时采用。按材料划分有，#同质外延又称为均匀外延，指外延层与衬底材料相同，#异质外延不言而喻是外延层与衬底材料不同，又称为非均匀外延，甚至晶体结构也不同。#在某一晶体上能否外延出另一种晶体，需要了解外延层与衬底的相容性，#1是指两者在外延温度不发生化学反应、不互溶，#2是两者热力学匹配，也就是热膨胀系数接近，以免在由外延温度冷却至室温时，产生大的残余热应力，甚至出现外延层破裂现象；#3是两者晶格匹配，是指晶体结构、晶格常数接近，以免在两者界面的外延层一侧出现晶格缺陷过多、应力过大的现象。热力学和晶格的匹配程度，#用失配率来衡量，如果是热失配率，a 、a′‘就分别为外延层、衬底的热膨胀系数；如果是晶格失配率，a 、a′‘就分别为外延层、衬底的晶格常数。失配率越小相容性越好。#按温度划分：#1000℃ 以上称高温外延，低于1000℃ 称低温外延，变温外延是先低温下成核，再高温下生长外延层。#按电阻率划分：#正外延，是指在低阻衬底上外延高阻层；反外延，是指在高阻衬底上外延低阻层；#按外延层划分: #有普通外延，选择外延，多层复杂外延等。#这是选择外延。#其它划分方法：#还有按结构划分；按外延层厚度划分等。#外延有什么用途呢？#这个npn晶体管，#它是制作在n型中、低掺杂外延层上的，#集电结的掺杂浓度低，#晶体管具有高的集电结击穿电压；#而与集电极接触的大部分区域是n型重掺杂外延衬底，电阻率低，因此，#晶体管又具有低的集电极串联电阻。#这是双极型电路的pn结隔离结构，#它是制作在p型衬底的n型外延层上的：#这是n型重掺杂埋层，#这是p型重掺杂形成的隔离墙，#这是隔离岛，在隔离岛上制作晶体管等元件，如果衬底接低电位，基于pn结单向导电特性，隔