集成电路制造技术——原理与工艺（第3版）课件2.5外延层缺陷及检测.pptx

集成电路制造技术集成电路制造技术JI CHENG DIAN LU ZHI ZAO JI SHU ——原理与工艺主讲/田丽王蔚 外 延第2章 外 延JI CHENG DIAN LU ZHI ZAO JI SHU 2.1 概述目 录CONTENTS2.2 气相外延2.3 分子束外延2.4 其它外延2.5 外延层缺陷及检测 雾圈白雾角锥体划痕残迹 外延层缺陷及检测外延缺陷类型及分析表面缺陷：云雾状表面角锥体表面突起划痕星状体麻坑等 (111)Si的三种典型层错星形线（滑移线）外延缺陷类型及分析体内缺陷：位错层错（堆积层错）外延层衬底线位错层错外延层晶格完整性用缺陷密度来衡量 外延层缺陷及检测 5.2图形漂移和畸变现象硅晶体衬底的各向异性是出现漂移和畸变的主要原因。外延温度升高，漂移、畸变现象减弱；外延生长速率增加，漂移、畸变现象加强；外延气压下降，漂移、畸变现象减弱；衬底晶向，(100)Si的漂移、畸变最小，(111)硅取2~5o偏差时，漂移、畸变的影响最小。 外延层缺陷及检测 5.3外延层参数测量红外反射法层错法磨角法外延层厚度及其均匀性测量四探针法扩展电阻法电容法电阻率及其分布测量 外延层缺陷及检测 层错法测外延层厚度（111）Si外延后，经过适当的化学腐蚀，层错在表面可以呈现正三角形。利用层错边长与外延层厚度的几何关系换算出外延层厚度注意事项：要选择大的，靠近外延层中间的图形。计算厚度时，应考虑腐蚀对厚度的影响。Tll衬底外延层[110]（111）硅层错形状 外延层缺陷及检测