集成电路制造技术——原理与工艺（第3版）课件 3.5氧化层的质量及检测_集成电路制造技术—原理与工艺_王蔚.pptx

集成电路制造技术集成电路制造技术JI CHENG DIAN LU ZHI ZAO JI SHU ——原理与工艺主讲/田丽王蔚 热氧化第3章 热氧化JI CHENG DIAN LU ZHI ZAO JI SHU 3.1 二氧化硅薄膜概述3.2 硅的热氧化3.3 初始氧化阶段及薄氧化层制备3.4 热氧化过程中杂质再分布3.5 氧化层的质量及检测3.6 热氧化技术及其工艺展望目 录CONTENTS 氧化层的质量及检测氧化层厚度测量比色法、干涉条纹法；椭偏法、台阶仪。 热氧化在硅表面生长氧化层的质量及性能指标应满足使用要求，需要在氧化后进行检测。成膜质量检测表面缺陷，结构缺陷，氧化层中的电荷，热应力。椭偏仪台阶仪 1氧化层厚度测量 比色法 在可见光波段氧化层透明，而硅为灰色，硅片表面反射的光和穿透氧化层在硅界面反射光相互干涉，又因氧化层厚度不同，光程就不同，某一波长的光干涉增强，这就使得硅片呈现不同的色彩。颜色氧 化 层 厚 度 （埃）第 一 周 期第 二 周 期第 三 周 期第 四 周 期灰 色100???黄 褐 色300棕 色500蓝 色800紫 色1000275046506500深 蓝 色1500300049006800绿 色1850330052007200黄 色2100370056007500橙 色225040006000?红 色250043506250?在白光直视下氧化层厚度与干涉色彩的关系比色样片 氧化层的质量及检测 1氧化层厚度测量 干涉条纹法n -- 二氧化硅的折射率 斜面X -- 干条纹的条数 X=3, n=1.5, λ=530nm d=530nm?从一个亮条到相邻的亮条就是一个干涉条纹。而从暗条到相邻亮条则是0.5个干涉条纹。 氧化层的质量及检测 2氧化层成膜质量的测量1.表面缺陷表面镜检：有无斑点，裂纹，白雾，发花和针孔等毛病。产生原因：硅片表面抛光不够好、有严重的位错或表面有沾污。针孔密度测量： 化学腐蚀法； 电解镀铜法等。通孔盲孔 氧化层的质量及检测 2氧化层成膜质量的测量2.结构缺陷主要是氧化诱生层错(Oxidation Induced Stacking Faults, CSF)：界面未氧化的硅进入硅体内的填隙位置，结团形成堆垛层错。检测方法：用稀HF泡掉氧化层，然后用Sirtl等腐蚀液腐蚀硅，再用显微镜进行检测。 氧化层的质量及检测 2氧化层成膜质量的测量 氧化层中的电荷 可动离子电荷：Na+-、K+、H+等荷正电的碱金属离子。氧化层固定电荷：位于氧化层距硅界面3nm范围内，荷正电的氧空位。界面陷阱电荷：能量处于硅禁带中，可与价带或导带交换电荷的陷阱能级或电荷状态。氧化层陷阱电荷：由氧化层内的杂质或不饱和键俘获电子或空穴所引起。 氧化层的质量及检测 氧化层中的电荷通过MOS结构高频C-V特性测量及偏温实验，可得氧化层电荷面密度和可动电荷面密度。测量方法：避免或降低电荷面密度的方法：加强工艺卫生；采用超高纯度的水、气体与试剂等；采用掺氯干氧氧化工艺；热氧化后在高温惰性气体中进行退火。P-SiSiO2AlMOS结构+ + + + +- - - - -反型层 氧化层的质量及检测 热应力SiO2与Si的热膨胀系数不同： Si：2.6×10-6 K-1，SiO2：5×10-7 K-1 在结束热氧化，退出高温过程后，两者界面会产生很大的热应力。热氧化时，加热或冷却过程中要使硅片受热均匀，同时，升温和降温速率不能太大。 氧化层受压应力，严重时，氧化层会产生皲裂，硅片发生弯曲，并在界面产生缺陷。 氧化层的质量及检测