太阳能电池知识介绍.pptxVIP

第1页/共52页太阳能电池知识介绍第2页/共52页目录电池片知识介绍电池片生产流程及原理产品类型及特性第3页/共52页电池片知识介绍第4页/共52页光伏产业流程第5页/共52页太阳能电池分类与结构1.太阳电池的分类按结构分:同质结、异质结、肖特基、多结按材料分：晶体硅、化和物半导体、有机半导体、薄膜按用途分:空间、地面2.太阳能电池的结构传统结构:BSF电池 、紫光电池、绒面电池、异质结太阳电池 、M1S电池、 MINP电池、聚光电池 新型结构:PESC、 PERC 、PERL、埋栅电池、 PCC、 LBSF、异质pp+结 第6页/共52页单晶硅与多晶硅多晶硅: 由许多取向不同的单晶颗粒杂乱地排列在一起的固体称为多晶。单晶硅： 在整个晶体内，原子都是周期性的规则排列，称之为单晶。第7页/共52页单晶硅与多晶硅原子图第8页/共52页进料检验硅片领料硅片分选制绒清洗甩干扩散刻蚀去PSG清洗甩干PECVD丝网印刷烧结测试分档成品分选成品包装入库出库电池片生产流程第9页/共52页电池片生产流程及原理第10页/共52页 制 绒 和 清 洗第11页/共52页流出制绒后称重检查绒面制绒和清洗—概述硅片表面处理的目的：去除硅片表面的机械损伤层清除表面油污和金属杂质形成起伏不平的绒面，增加对太阳光的吸收来料检验插片制绒前称重超声波清洗制绒酸洗甩干喷淋水洗第12页/共52页制绒和清洗—硅片表面损伤层的去除表面损伤层的危害 表面损伤层如果去除不净，将会导致残余缺陷、残余缺陷在后续高温处理过程中向材料深处继续延伸、切割过程中导致的杂质未能完全去除，这些都会增加硅片的表面复合速率，严重影响电池片的效率。损伤层的去除方法 就目前线切割技术来说，一般硅片表面的损伤层厚度（双面）保持在10um，通过硅片的减薄量来衡量。对于单晶硅片，通常采用粗抛或细抛的方法来消除。但由于现在市场上的硅片普遍较薄，所以，粗泡的方法一般不会采用。我们目前单晶制绒的工艺，制绒前的高温稀碱超声就是细抛。对于多晶硅片，通常都会在制绒的同时已经对损伤层进行了去除，单晶有时候也是采用这样的方法的。第13页/共52页制绒和清洗—硅片表面预处理硅片表面沾污主要包括： 有机杂质沾污 颗粒沾污 金属粒子沾污第14页/共52页制绒和清洗—化学清洗原理 HF去除硅片表面氧化层： HCl去除硅片表面金属杂质：盐酸具有酸和络合剂的双重作用，氯离子能与 Pt 2+、Au 3+、 Ag +、Cu +、Cd 2+、Hg 2+等金属离子形成可溶于水的络合物。 第15页/共52页制绒和清洗—绒面光学原理入射光反射光陷光原理：当光入射到一定角度的斜面，光会反射到另一角度的斜面，形成二次或者多次吸收，从而增加吸收率。依靠表面金字塔形的方锥结构,对光进行多次反射,不仅减少了反射损失,而且改变了光在硅中的前进方向,延长了光程,增加了光生载流子的产量；曲折的绒面又增加了p-n结面积,从而增加对光生载流子的收集率；并改善了电池的红光响应。第16页/共52页制绒和清洗—单晶制绒腐蚀原理单晶硅片的绒面金相显微镜图片利用低浓度碱溶液对晶体硅在不同晶体取向上具有不同腐蚀速率的各向异性腐蚀特性，在硅片表面腐蚀形成角锥体（就是我们所说的金字塔）密布的表面形貌 ，就称为表面织构化。角锥体四面全是由〈111〉面包围形成。第17页/共52页制绒和清洗—多晶制绒腐蚀原理多晶硅片的绒面金相显微镜图片多晶硅制绒是损伤层的去除和制绒面同时进行的。控制的主要参数是减薄量。为保证损伤层的去除干净，减薄必须要够，但不能过大。我们使用的多晶酸腐工艺是适用的CrO3和HF，CrO3的主要作用是起氧化，HF的作用是去除氧化层，二者结合在一块使得硅片不断的剥离反应。单独一样化学药品是达不到腐蚀效果的。第18页/共52页制绒和清洗—常见问题表面问题 我们可以称硅片表面为电池片的脸，脸洗不好，是最容易被察觉的。常见的问题有： 单晶：雨点，白斑，发白，发亮，流水印等 多晶：一般不存在什么表面的问题，主要集中多 晶体单晶面的问题上。 绒面问题 单晶：金字塔尺寸大小不均，过大，过小等 多晶：减薄不够导致损伤层去除不净，腐蚀坑过 深过窄，减薄过大导致腐蚀坑过大，大的 不规则腐蚀坑洞较多，绒面一致性差等。第19页/共52页扩散－－ 太阳电池制造的核心工序第20页/共52页扩散—原理 制作太阳电池的硅片是P型的，也就是说在制造硅片时，已经掺进了一定量的硼元素，使之成为P型的硅片。 生成的P2O5又进一步与硅作用，生成SiO2和磷原子，由此可见，在磷扩散时，为了促使POCl3充分的分解和避免PCl5对硅片表面的腐蚀作用，必须在通氮气的同时通入一定流量的氧气 。在有氧气的存在时，POCl3热分解的反应式为： POCl3分解产生的P2O5淀积在硅片表面，P2O5与硅反应生成SiO2和