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- 2023-06-15 发布于四川
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本发明实施例涉及于一种集成芯片，其包含基板、第一接触层、与栅极电极。第一接触层位于基板上方，栅极电极位于基板上方且与第一接触层横向间隔。第一间隔物结构围绕第一接触层的最外侧壁，并将栅极结构与第一接触层分开。第一硬罩幕结构设置于第一接触层上方，并位于第一间隔物结构的多个部分之间。第一接触导孔延伸穿过第一硬罩幕结构并接触第一接触层。第一衬层直接设置于第一硬罩幕结构与第一间隔物结构之间。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113206147 A
(43)申请公布日 2021.08.03
(21)申请号 202110226312.4
(22)申请日 2021.03.01
(30)优先权数据
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