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均匀成核:组成一定，熔体均匀一相，在T0温度下析晶，发生 在整个熔体内部，析出物质组成与熔体一致。 成核速率 临界晶核数 临界晶核周围原子数 质点与晶核碰撞频率 临界晶核 第三十页，共六十五页，2022年，8月28日 迁移活化能 P：受核化位垒影响的成核率因子 D：受原子扩散影响的成核率因子 第三十一页，共六十五页，2022年，8月28日 讨论：T 对 IV 的影响。 T IV P D IV IV出现最大值 第三十二页，共六十五页，2022年，8月28日 非均匀成核:有外加界面参加的成核。 原因：成核基体存在降低成核位垒，有利于成核。 成核剂(M) 固体核 液体 ? 润湿 0～900 1～0 0～1/2 (0~1/2) 不润湿 900~1800 0~(-1) 1/2~1 (1/2~1) ? cos? f(?) 非均匀成核临界成核位垒 与接触角?的关系。 较小的过冷度即可以成核 第三十三页，共六十五页，2022年，8月28日 非均匀成核速率Is： 结论： 2. 润湿的非均匀成核位垒低于非润湿的，因而润湿更易成核。 应用 2.结晶釉：在需要的地方点上氧化锌晶种。 3.油滴釉：在气泡的界面易析出含Fe3+的微晶。 1.过饱和溶液在容器壁上的析晶。 4. 结构缺陷处成核并生长：如螺位错成核生长。 非均匀成核更容易进行 第三十四页，共六十五页，2022年，8月28日 影响晶体理想生长过程速率u 温度(过冷度) 浓度(过饱和度) 2、晶体生长过程动力学 第三十五页，共六十五页，2022年，8月28日 晶体稳定位置 液体稳定位置 q . 距离 能 量 质点由液相向固相迁移的速率： 质点由固相向液相迁移的速率： 质点由液相向固相迁移的净速率： 第三十六页，共六十五页，2022年，8月28日 线性生长速率 界面层的厚度 第三十七页，共六十五页，2022年，8月28日 当T ? T0，即? T?0，?GRT，则 当TT0，则?GRT,此时 生长速率达极大值，一般约在10-5cm/s范围。 线性生长速率 讨论: 利用近似公式: exp(x) = 1+ x (x1) 第三十八页，共六十五页，2022年，8月28日 logu 出现峰值原因： 高温：由液相变成晶相的速率控制增大?T 对此过程有利，故 u 增大。 低温：由相界面扩散控制，低温液相粘度大不利于扩散v减小故 u 降低。 第三十九页，共六十五页，2022年，8月28日 2）实际晶体的螺位错生长机构 第四十页，共六十五页，2022年，8月28日 U∝ （ΔT）2 螺位错生长示意图 第四十一页，共六十五页，2022年，8月28日 针状莫来石晶体的螺位错生长 实例 第四十二页，共六十五页，2022年，8月28日 3、总结晶速率 表示方法： 推导： t=0 V 0 t=τ V?=V-V ? V? 在 dt 时间内形成新相的粒子数 假设新相为球状，生长速率u 为常数，在dt 时间形成新相体积为 转变初期 V?＝V 第四十三页，共六十五页，2022年，8月28日 在 t 时间内产生的新相的体积分数 假设 IV、u 与 t 无关。 第四十四页，共六十五页，2022年，8月28日 在相变初期，转化率较小时 n:阿弗拉米指数 校正：(1) 阿弗拉米对相变动力学方程作了适当的校正，导出公式 (2) 考虑时间对两个速率的影响，导出的关系式为 讨论：(1) 当IV随 t 减少时，3? n ? 4 (2) 当IV随 t 增大时，n 4 第四十五页，共六十五页，2022年，8月28日 阿弗拉米方程的用途：研究属于扩散控制的转变 蜂窝状转变，如：多晶转变。 第四十六页，共六十五页，2022年，8月28日 无机材料科学第九章相变 第一页，共六十五页，2022年，8月28日 相：系统中具有相同的物理性质和化学性质的均匀部分。 微观尺度上的均匀，而非一般意义上的均匀 相与相之间有界面，可以用物理或机械办法分开 一个相是均匀的，但不一定是一种物质 相变：一定条件下体系中发生的从一相到另一 相的变化过程。 狭义相变：过程前后相的化学组成不变，即不发生化学反应。 广义相变：包括过程前后相组成的变化。 相以及相变 第二页，共六十五页，2