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本发明提供一种降低flashcell区高度的方法，硅基底上的cell区和外围器件区的上表面设有氧化层；cell区的氧化层上设有浮栅层；浮栅层上设有ONO层；ONO层上设有控制栅多晶硅层；外围器件区的氧化层上设有栅极多晶硅层；在控制栅多晶硅层和栅极多晶硅层上覆盖光刻胶，对cell区的控制栅多晶硅层、浮栅层以及氧化层刻蚀形成多个相互间隔的层叠结构，在cell区和外围器件区域覆盖BARC层；在外围器件区域的BARC层上覆盖光刻胶；对cell区的BARC层进行刻蚀至露出控制栅结构的头部为止；对控制栅结
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113224065 A
(43)申请公布日 2021.08.06
(21)申请号 202110447786.1
(22)申请日 2021.04.25
(71)申请人 华虹半导体（无锡）有限公司
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