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一种过渡金属硫化物薄膜及其制备方法和应用.pdfVIP

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  • 2023-06-16 发布于四川
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一种过渡金属硫化物薄膜及其制备方法和应用.pdf

    本发明公开了一种过渡金属硫化物薄膜及其制备方法和应用，该制备方法包括：制备厚度大于或等于100nm的过渡金属前驱体薄膜；而后将过渡金属前驱体薄膜置于700～850℃条件下，在包括体积流量比为(1～2)：1的氢气和硫化氢的混合气体作用下硫化反应60～120min。通过以上方法可通过控制制备过程的工艺参数实现对产品薄膜中硫含量沿垂直于薄膜表面的方向分布的有效控制，进而实现晶圆级过渡金属硫化物薄膜的制备和组分控制，其工艺简单，易于操作，具有可控性、可重复性、工艺兼容性，适于工业化生产。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113235049 A (43)申请公布日 2021.08.10 (21)申请号 202110458369.7 H01L 45/00 (2006.01) (22)申请日 2

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