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2023-06-16 发布于四川
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零层刻蚀方法.pdf

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本申请公开了一种零层刻蚀方法，该方法应用于目标芯片产品的制作过程中，零层光刻是在制作过程中在目标层次的工序之前进行的光刻，目标层次是晶圆上不形成光刻对位标记的层次结构，该方法包括：在晶圆上覆盖光阻；通过零层掩模板，以目标产品对应的曝光步长进行曝光，在目标区域曝光出对准图形，零层掩模板上形成有可应用于不同芯片产品的对准图形；进行刻蚀，刻蚀至目标深度；去除光阻。本申请通过在目标芯片产品的零层刻蚀过程中，通过形成有不同可应用于不同芯片产品的对准图形的零层掩模板，基于目标芯片产品对应的曝光步长进行曝光，

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113223939 A (43)申请公布日 2021.08.06 (21)申请号 202110447399.8 (22)申请日 2021.04.25 (71)申请人华虹半导体（无锡）有限公司

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