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- 2023-06-17 发布于四川
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本发明属于半导体材料技术领域,提供了一种可用于热电制冷材料的P型SnSe晶体及其制备方法,所述材料为Na掺杂和Pb固溶的SnSe晶体,Sn、Se、Pb和Na的摩尔比为(1‑x‑y):1:y:x;其中,0.015≤x≤0.025,0.05≤y≤0.11。本发明提供的P型SnSe晶体可用于热电制冷材料,室温下,其功率因子PF≥70μWcm‑1K‑2,室温ZT值≥1.2;基于所得SnSe晶体搭建的单臂温差测试平台,可在2A的电流下实现~17.6K的制冷温差。本发明通过改良定向凝固法,利用连续温区缓慢降
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113270534 A
(43)申请公布日 2021.08.17
(21)申请号 202110622513.6
(22)申请日 2021.06.04
(71)申请人 北京航空航天大学
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