半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法.pdfVIP

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2023-06-17 发布于四川
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半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法.pdf

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实施方式提供能够降低与多个导电层连接的接触部的接触电阻的半导体存储装置以及半导体存储装置的制造方法。实施方式的半导体存储装置具备：层叠体，其通过将多个第1导电层和多个第1绝缘层一层一层地交替层叠而形成，包括多个第1导电层被加工为阶梯状的阶梯部；柱，其在从阶梯部在与层叠体的层叠方向交叉的第1方向上分离的层叠体内沿着层叠方向延伸，在与多个第1导电层的至少一部分的交叉部分别形成存储单元；以及接触部，其配置于阶梯部，与多个第1导电层中的一个第1导电层连接，接触部具有从阶梯部的上方向一个第1导电层延伸且与

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116264214 A (43)申请公布日 2023.06.16 (21)申请号 202210898118.5 H10B 43/27 (2023.01)