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半导体器件及其设计版图.pdfVIP

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  • 2023-06-17 发布于四川
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半导体器件及其设计版图.pdf

    本发明提供了一种半导体器件及其设计版图，半导体器件的设计版图包括衬底和栅极，所述衬底包括有源区和隔离区，所述有源区包括垂直交错的第一有源分区和第二有源分区，所述第一有源分区的宽度为有源区的设计特征尺寸，第一有源分区将第二有源分区切断，且第二有源分区与第一有源分区之间的距离为一设定值；所述栅极设置于所述第一有源分区两侧的衬底上，且所述栅极与所述第一有源分区之间存在一设定距离。本发明中第一有源分区切断的第二有源分区在光刻后会形成连续的第二有源分区，以使光刻后有源区的光刻特征尺寸更接近有源区的设计特征

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113270399 A (43)申请公布日 2021.08.17 (21)申请号 202110545949.X (22)申请日 2021.05.19 (71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司

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