原创力文档- 3
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- 2023-06-17 发布于四川
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公开了通过将金属栅极切口形成为对栅极侧壁无选择性的开口而制造的晶体管布置结构。如果开口至少部分地填充有导电材料，则蚀刻工艺可以用于提供电源轨。一旦在开口内沉积了导电材料以形成电源轨，使这种材料在电源轨的面对各种晶体管的栅极堆叠体的部分中凹陷可以在减小寄生电容方面提供进一步的改进。当电源轨的导电材料凹陷以实现自对准到沟槽接触部的过孔时，用于将用于将电源轨电耦合到晶体管的S/D区的沟槽接触部的掩模可以用作掩模。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114512484 A
(43)申请公布日 2022.05.17
(21)申请号 202111197622.4
(22)申请日 2021.10.14
(30)优先权数据
16/950,240 2020
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