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一种应力可调控的、反应溅射AlN薄膜的制备方法和设备.pdfVIP

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  • 2023-06-17 发布于四川
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一种应力可调控的、反应溅射AlN薄膜的制备方法和设备.pdf

    本发明公开了一种应力可调控的、反应溅射AlN薄膜的制备方法和设备，包括工艺腔体，所述工艺腔体内设置有靶材和基片台，所述基片台通过导线连接匹配网络，所述匹配网络通过导线连接射频电源，方法包括如下步骤，S1：运行参数的调试，首先编制迟滞回线工艺菜单，上载基片，运行迟滞回线菜单并绘制记录迟滞回线，确定稳定反应溅射时各参数的数值，并记录为指定值，完成调试后下载基片；S2：根据绘制的迟滞回线的指定值编制工艺菜单，将基片上载至工艺腔体的基片台上；S3：运行工艺菜单，完成指定工艺时间后下载基片；S4：测量基片

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113265613 A (43)申请公布日 2021.08.17 (21)申请号 202110465438.7 (22)申请日 2021.04.28 (71)申请人 浙江艾微普科技有限公司

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