化工过程结晶复习.docx

简答题 降低结块性的方法有哪些？ 答： 1.设法降低吸湿性； 2 使用各种掩盖层以防止水分浸入产品粒子； 3 使用不同添加剂， 维持贮 存、运输过程中产品的晶桥〔化学键〕强度不变化，以及干扰变体转化的温度； 4 降 低负载量，减小温度波动； 5 相对较有效的方法是制成粒状产品； 6 易挤压的包装袋，换成 包装桶等。 应用粒数衡算方法争论晶体粒度的目的是什么？ 答：依据粒度衡算可以获知晶体的粒度分布，从而〔 1〕得到特定物系在特定操作条件下晶 体成核和生长等结晶动力学方面信息，帮助进展结晶器设计；〔 2〕指导结晶器操作，帮助 推断获得规定的粒度分布时应当实行怎样的措施和进展怎样操作的参数调整。 与分别混合物的其他方法相比，结晶法分别的优点？ 答：结晶过程装置比较简洁，可以分别热稳定差的混合物及沸点接近的混合物，此外， 由于 熔化热和结晶热比蒸发热要低得多，所以结晶法消耗能量少。 如何通过料也处理量选取结晶操作方式？ 答：一般状况下，对于料液的处理量小于 100kg/h 的结晶过程，宜选用间接操作方式；而处 理量大于 20m3/h 则宜承受连续操作方式。此外，对于某些指定粒度分布或纯度要求甚高的 结晶过程，则只能选用间歇操作方式。 简述杂质在晶面上或嵌入晶格， 或掩盖于晶体外表时如何致使晶习发生变化？ 答：杂质嵌入晶格， 使得原来的晶格排列发生变化， 造成局部缺陷或不统一而使得外表外形发生变化， 由于离子的电场作用， 杂质掩盖于晶面之上， 导致晶体表层性质的变化，最终致使晶习转变。 溶液中晶体成批生长的特点？ 〔 1〕晶体生长可能在很宽的过饱和度范围内进展； 〔 2〕大量晶体的同时生长导致细小粒子的生成，即生成的晶体粒度不大；〔 3〕批粒子的同时生长也可能导 致晶粒的相互碰撞，形成晶面缺陷或造成晶体裂开 ;〔4〕 成批结晶的特征之一是易 生成各种类型的连生体；〔 5〕在实际结晶设备中各个晶体的生长条件并不一样 什么是盐析法制备过饱和溶液？其优点是？ 答：是向物系中参加某些物质〔固体、液体或气体，叫稀释剂或沉淀剂〕，降低 溶质在溶剂中的溶解度而产生过饱和度的一种方法。 优点：a 可与冷却法结合，提高溶质在母液中的回收率； b 可将结晶过程温度保 持在较低水平，这对不耐热物质的结晶有利； c 在有些状况下，杂质在溶剂与稀 释剂的混合物中有较高溶解度，而保存在母液中，从而简化晶体提纯。 结晶与沉淀异同？ 结晶是相生成的过程， 是利用溶质之间溶解度的差异进展分别纯化的一种集中 分别操作， 这一点与沉淀的生成原理是全都的。 两者的区分在于： 结晶是内部结 构的质点〔原子、分子、离子〕作三维有序规章排列、外形肯定的固体粒子，而 沉淀则是无规章排列的、 无定形粒子。 结晶的形成需在严密掌握的操作条件下进 行， 因此，结晶的纯度远高于沉淀。 结晶分别的依据和优点：不同的熔化温度、溶解度、杂质在相间的分布规律； 结晶过程装置相比照较简洁可分别热稳定性差的混合物、 沸点相近的混合物结晶 法消耗能量小。 结晶器放大参数：常以 Re 及 Fr 两个特征数作为主要分析内容，需保持这两 个参数不变 Re=p nd2/n Fr=n2d/g 放大原则：a 溶液与固体的流淌特性 b 各对 应部位的过饱和度 c 晶种的原始粒径 d 晶浆浓度 e 过饱和溶液与生长结晶间接 形成过饱和溶液的方法： 转变温度〔等溶剂结晶〕 ：一般适用于溶解度随温度上升而变化较大的物质 〔氯化铵，碳酸锂〕；增减溶剂：一般适用于溶解度随温度变化不大的体系； 转变 溶剂性质：增加溶质：参加全部或局部溶质， 利用同离子效应实现盐析剂：加 同离子盐，利用盐析效应使某溶质到达饱和而结晶析出化学反响产生低溶解度物 质：参加反响剂产生物质， 当该物质的溶解度超过饱和溶解度时， 即有晶体 析出； 杂质影响晶形的可能过程： a. 杂质转变溶解度而导致晶习变化 b. 杂质在晶面 上，或嵌入晶格，或掩盖于晶体外表，致使晶习变化 c. 杂质在晶面上，或嵌入 晶格，或掩盖于晶体外表，致使晶习变化 成核和晶体生长的比较：晶核：在溶液所处的条件下溶质分子形成的最微小 尺寸的粒子 形成过程 成核机理结晶成核动力学 晶体：溶液本体内溶质分子的 不断会聚下，晶核长大成为晶体 形成过程晶体生长 机理结晶生长动力学 名词解释 结晶： 物质以晶体状态从蒸汽、溶液或熔融物中析出的过程。 非均相初级成核：假设溶液中混入外来固体杂质粒子，如空气中的灰尘或其他 人为引入的固体粒子， 则这些杂质粒子对初级成核有诱导作用。 这种在非均相过 饱和溶液中自发产生晶核的过程称为非均相初级成核。 溶液的过饱和度：同一温度下，过饱和溶液与饱和溶液间的浓度差。是结晶过 程必不行少的推动力。 单核生长机理：晶面上先消灭一个晶核，该晶核一边长大一边将整个晶