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- 2023-06-17 发布于四川
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提供一种晶体管特性的不均匀小的半导体装置。该半导体装置包括半导体膜、半导体膜上的一对遮蔽膜、位于半导体膜上且设置在一对遮蔽膜间的绝缘膜,其中半导体膜包括一对n型区域、设置在一对n型区域间的i型区域,n型区域与遮蔽膜重叠,i型区域与绝缘膜重叠。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113924657 A
(43)申请公布日 2022.01.11
(21)申请号 202080041969.7 (71)申请人 株式会社半导体能源研究所
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