原创力文档- 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
涉及反向导通型半导体装置及反向导通型半导体装置的制造方法。提供避免制造成本的大幅增加，并且具有高闩锁耐量、低恢复损耗的反向导通型半导体装置。半导体基板(50)具有第1主面(F1)及第2主面(F2)。基极接触层(14)配置于基极层(15)和第1主面(F1)之间，构成第1主面(F1)的一部分。阳极接触区域(24)配置于阳极层(25)和第1主面(F1)之间，构成第1主面(F1)的一部分，阳极接触区域具有比阳极层(25)高的第2导电型杂质浓度峰值。阳极接触区域(24)包含第1阳极接触层(24b)，该第1
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114388610 A
(43)申请公布日 2022.04.22
(21)申请号 202111202796.5 H01L 27/07 (2006.01)
文档评论（0）