制造集成电路器件的方法和集成电路器件.pdfVIP

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2023-06-17 发布于四川
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制造集成电路器件的方法和集成电路器件.pdf

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本发明实施例提供了一种集成电路器件，包括位于衬底上方的金属互连件内的介电结构。介电结构包括空腔。第一介电层提供空腔的腔顶。第二介电层提供空腔的底板。不同于第一介电层和第二介电层的材料提供空腔的侧边缘。在空腔的中心区域中，空腔具有恒定高度。可选择高度以在空腔之上和之下的部件之间提供低寄生电容。空腔的顶板可以是平坦的。可在顶板上方形成栅极电介质。当采用后段制程(BEOL)晶体管时，介电结构对于减少寄生电容特别有用。本发明实施例还提供了另一种集成电路器件和制造集成电路器件的方法。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114883249 A (43)申请公布日 2022.08.09 (21)申请号 202210160032.2 (22)申请日 2022.02.22 (30)优先权数据 63/174,116 2021