竖直三维(3D)存储器中的水平存取装置内的外延硅.pdfVIP

下载本文档

1
0
约10.12万字
约 135页
2023-06-17 发布于四川
举报
版权申诉

竖直三维(3D)存储器中的水平存取装置内的外延硅.pdf

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本申请涉及竖直三维(3D)存储器中的水平存取装置内的外延硅。提供用于具有水平定向存取装置和存储节点的竖直堆叠存储器单元阵列的系统、方法和设备。所述水平定向存取装置具有由外延生长的沟道区分离的第一源极/漏极区和第二源极漏极区。与所述沟道区相对的栅极完全包围所述沟道区的每一个表面形成，作为通过栅极电介质与沟道区分离的栅极全包围GAA结构。所述存储器单元具有耦合到所述第二源极/漏极区的水平定向存储节点以及耦合到所述第一源极/漏极区的数字线。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114914202 A (43)申请公布日 2022.08.16 (21)申请号 202210116634.8 (22)申请日 2022.02.07 (30)优先权数据 17/171,336 2021