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一种双栅π型薄膜晶体管光学感应器的制作方法及光学感应器及电子设备.pdfVIP

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  • 2023-06-19 发布于四川
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一种双栅π型薄膜晶体管光学感应器的制作方法及光学感应器及电子设备.pdf

    本发明公开了一种双栅π型薄膜晶体管光学感应器的制作方法及光学感应器及电子设备，其中双栅π型薄膜晶体管光学感应器的制作方法包括，提供基板；在基板上形成栅极层和绝缘层，绝缘层至少部分覆盖栅极层；在绝缘层上形成非晶硅层；非晶硅层的两侧通过刻蚀形成斜坡结构，侧面斜坡与基板的夹角为40°～60°；在非晶硅层上形成n型非晶硅层；在n型非晶硅层上形成源/漏极层；在源/漏极层上形成第一钝化层；在第一钝化层上形成光栅层；在光栅层上形成第二钝化层。本发明通过控制非晶硅层两侧的斜坡角度，可以控制源/漏极层的爬坡电阻，

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113284915 A (43)申请公布日 2021.08.20 (21)申请号 202110563803.8 (22)申请日 2021.05.24 (71)申请人 信利半导体有限公司 地

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