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本发明涉及信息存储技术技术领域，尤其涉及一种电场可调磁电信息存储器件及其制备方法，该电场可调磁电信息存储器件是由铁磁金属氧化物LSMO、铁电体BTO、半导体氧化物为n型掺杂NSTO组成的电控磁存储器器件。本发明通过优异的制备方法来制备出铁磁和铁电性质薄膜的层状异质结，通过界面处电荷之间有效的耦合，可以增强其多铁特性，实现存储器件开、关的调控，通过外加电场方向进而改变铁电极极化反转方向决定了电阻在开态(低阻态)和关态(高阻态)之间的切换，本发明工艺具有制备工艺简单、非破坏性、高密度、高速率、低能耗
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113299823 A
(43)申请公布日 2021.08.24
(21)申请号 202110553600.0
(22)申请日 2021.05.20
(71)申请人 安徽工业大学
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