半导体中的电子状态.pptxVIP

半导体中的电子状态;一、量子力学基本原理;※;▲经典物理学 只要光的强度足够大，电子就可以克服材料的功函数从表面发射出去，而该过程与照射光的频率无关；;※;第6页/共55页;※; “提出一个问题往往比解决一个问题重要。因为解决一个问题也许仅仅是一个数学或实验上的技能而已，而提出新的问题，却需要创造性的想象力，而且标志着科学的真正进步。”;二、薛定谔波动方程;上式的解为：;第11页/共55页;是一个与时间无关的函数;边界条件;三、薛定谔波动方程的应用;而与时间有关的函数为： ;假设某一时刻，有一个沿+x方向运动的粒子，则系数B为0，则该行波的表达式可写为：;可以说明：具有明确动量定义的自由粒子在空间任意位置出现的概率相等，这个结论与海森堡的不确定原理是一致的，即准确的动量对应不确定的位置。;2、 无限深势阱;Ⅱ区粒子满足的薛定谔方程为：;X=0: X=a: ;最终，可得与时间无关的波的表达式 ;﹛;注意：随着能量的增加，在任意给定坐标值出发现粒子的概率会渐趋一致。;第一章 半导体中电子状态;1、 一维单晶材料中的电子;（b）近距原子交叠的势函数;（c）一维单晶的最终势函数;克龙尼克—潘纳模型的一维周期性势函数;与时间有关的函数为： ;波动函数的全解=与时间有关的×与位置有关的;感兴趣的： 在一维单晶材料中电子 的能量状态及特征;系数A、B、C、D可由边界条