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有源处理的栅极触点.pdfVIP

有源处理的栅极触点.pdf

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    一种半导体器件制造处理包括：在具有多个开口的基板上形成栅极，每个栅极具有第一金属的导电层与第一介电材料的栅极介电层，以第二介电材料部分地填充所述开口，在不破坏真空的处理系统中的基板上形成第一结构，在第一结构上方沉积第三介电材料，及形成所述栅极的平坦化表面与安置设置在第一结构上方的第三介电材料的表面。形成第一结构包括：通过去除每个开口内的第二介电材料的第二部分而形成沟槽，通过以第二金属部分地填充所述沟槽而在所述沟槽中形成凹陷有源区，在每个凹陷有源区上方形成衬垫，及在各衬垫上方形成金属盖层。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113383426 A (43)申请公布日 2021.09.10 (21)申请号 202080011467.X 凯万 ·卡什菲扎德　王希昆　

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