薄膜的沉积技术汇总.pptxVIP

薄膜的沉积技术汇总;对薄膜的特殊需求。 具有体积小、功耗低、电流密度大的特点。 薄膜厚度范围：20nm---2um 工艺制作方法：PVD，CVD，电镀和阳极氧化法。 沉积技术的发展;7.1薄膜生长过程;一、薄膜的生长过程： 两个阶段：新相的成核与薄膜的生长 1、成核阶段 　　　在薄膜形成的最初阶段，一些气态的原子或分子开始凝聚到衬底上，从而开始了所谓的形核阶段。由于热涨落的作用， 原子到达衬底表面的最初阶段，在衬底上成了均匀细小、而且可以运动的原子团（岛或核）。 　　　当这些岛或核小于临界成核尺寸时，可能会消失也可能长大；而当它大于临界成核尺寸时，就可能接受新的原子而逐渐长大。;2、薄膜生长阶段 　　　一旦大于临界核心尺寸的小岛形成，它接受新的原子而逐渐长大，而岛的数目则很快达到饱和。小岛像液珠一样互相合并而扩大，而空出的衬底表面上又形成了新的岛。形成与合并的过程不断进行，直到孤立的小岛之间相互连接成片，一些孤立的孔洞也逐渐被后沉积的原子所填充，最后形成薄膜。;图7.2 透射电子显微镜追踪记录Ag在NaCl晶体表面成核过程的系列照片和电子衍射图;二、薄膜生长的三种模式-岛状、层状和层状-岛状生长模式　　;2、层状生长（Frank-van der Merwe)模式： 被沉积物质的原子更倾向于与衬底原子键合，即被沉积物质与衬底之间浸润性很好，因此，薄膜从形核阶段开始即采取二维扩展模式，沿衬底表面铺开。;3、层状-岛状(Stranski-Krastanov)生长模式： 最开始一两个原子层厚度的层状生长之后，生长模式转化为岛状模式。 根本的原因：归结为薄膜生长过程中各种能量的相互消长。;三种不同薄膜生长模式的示意图：;三、导致生长模式转变的三种物理机制 ;7.2 PVD—蒸发;7.3 PVD--溅射;7.4 CVD沉积原理及特点;7.5 离子束沉积 离子束加工的物理基础是离子束射到材料表面时所产生的三个效应，即撞击效应，溅射效应和注入效应。 7.5.1 离子束溅射沉积（IBSD） 有两个独立的离子束源（双离子束沉积）：一个离子束源射向靶产生溅射材料，持续薄膜的沉积；另一个聚焦于基片提供辅助离子，帮助形成较好的膜特性。 7.5.2 离子束??助沉积（IBAD）：在气相沉积的同时，进行离子束轰击混合以改善薄膜性能的方法。 ;7.6 脉冲激光沉积（激光烧蚀）： 工作原理：是一种利用激光对物体进行轰击，然后将轰击出来的物质沉淀在不同的衬底上，得到沉淀或者薄膜的一种手段。 PLD一般可以分为以下四个阶段： 1. 激光辐射与靶的相互作用 2. 熔化物质的动态 3. 熔化物质在基片的沉积 4. 薄膜在基片表面的成核（nucleation）与生成 应用：沉积超导体、石墨和电子光学材料。 7.7 高密度等离子辅助沉积（HDPAD）：适用于大长宽比的沟槽和通孔。 工艺特点：在同一个反应腔中同步的进行淀积和刻蚀的工艺。 应用：金属前绝缘层，金属间绝缘层，浅槽隔离。 ;7.8金属有机化合物化学气相沉（MOCVD） 是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。 原理 MOCVD是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。通常MOCVD系统中的晶体生长都是在常压或低压(10-100Torr)下通H2的冷壁石英(不锈钢)反应室中进行，衬底温度为500-1200℃,用射频感应加热石墨基座(衬底基片在石墨基座上方),H2通过温度可控的液体源鼓泡携带金属有机物到生长区。 ;7.9 电镀;图7.3 电镀;7.9.2 化学镀 不需要电接触或直流电场，用化学溶解进行化学镀。 应用：太阳能电池的光学薄膜，多层超导体，镀铜前的铜层。 7.10 溶胶-凝胶涂覆法 适当材料以悬浮原始粒子的形式沉积的膜层 优点：纯度高，高度均匀性。 ;7.11原子层沉积（ALD）：是一种可以将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面的方法。 晶片与晶片间的符合性和一致性好。工作原理：原子层沉积是通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应器并在沉积基体上化学吸附并反应而形成沉积膜的一种方法（技术）。 ;感谢观看！