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本发明公开了一种硼掺杂选择性发射极的制备方法，在制绒后的硅片表面沉积BSG层，然后在BSG层表面局部覆盖掩膜层，使掩膜层的覆盖区域与硅片表面的金属电极印刷区域一致，然后对硅片进行高温推进，然后将硅片上的BSG层和掩膜层去除。本发明的硼掺杂选择性发射极的制备方法，其在沉积BSG层后只需局部覆盖掩膜层，能在不去除BSG层的条件下高温推进即可制备SE结构。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113363334 A
(43)申请公布日 2021.09.07
(21)申请号 202110607719.1
(22)申请日 2021.06.01
(71)申请人 常州时创能源股份有限公司
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