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- 2023-06-22 发布于四川
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本发明公开了一种半导体真空二极管，由电极A、介电体、半导体电极B三种材料层依次叠置而成，电极A为功函数较低的金属材质，介电体中间具有一个贯通的真空通道，电极B为重掺杂半导体材质；使用时，电极A、电极B分别连接直流电源的一个电极。本发明的二极管具有在高温高辐射环境下工作性能稳定，激发电子较多电流较大，对制备工艺中介质层膜厚工艺偏差容忍度高等优点。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113410110 A
(43)申请公布日 2021.09.17
(21)申请号 202110513830.4
(22)申请日 2021.05.07
(71)申请人 南通职业大学
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